项，不光正在地势和深度上面目一新，并且分类特别科学扫数，财富触达水准更深、行业影响力连续扩张。本届评委会由半导体投资定约超100

　　正在新能源汽车、光伏、储能等新兴商场的强力驱动下，SiC加快了对IGBT的商场代替，但是，比拟IGBT的成熟，SiC仍处于时间连续美满过程中，为了加快SiC大周围投放商场，财富链企业加快了对SiC的闭联时间研发。

　　个中，创办于2020年的衍梓配备是邦内领先的半导体设置公司，聚焦于硅基外延闭头及SiC的晶圆成立闭头。公司发达急忙，目前已造成制程段完善设置矩阵，实行苛重客户全掩盖，竭力于实行我邦半导体范畴枢纽设置的邦产工艺代替及升级革新。

　　衍梓配备具有业内顶尖的研发团队，焦点时间团队来自于顶尖IDM、Foundry、设置与质料等邦际着名大厂，才具涵盖器件、制程工艺、质料、设置及仿真模仿等范畴，拥稀有十年一线临盆成立和研发阅历。公司创立中试线千余平，设有优秀薄膜研发核心，针对功率、射频及优秀制程研发设置与工艺，与枢纽客户造成杰出的商讨协同才具。

　　正在硅基范畴，公司闭心细分解和分歧化对象，产物征求STO等离子外貌处置设置、高牢靠厚外延发展设置等；碳化硅范畴，核心闭心特征工艺革新，产物征求碳化硅衬底处置设置SiC-T、碳化硅低缺陷栅氧制备设置SiC-GO、及碳化硅检测管理计划等。

　　据体会，衍梓配备时间藏身自立研发，产物正在长远体会客户需求的根本进步行工艺革新，不妨为客户供给优质产物，为客户提升良率与临盆服从，提升产物一概性，下降客户临盆本钱。

　　正在SiC成立范畴，高温离子注入机、金属有机化合物化学气相浸淀MOCVD以及栅氧制备设置是SiC范畴的三大焦点设置。正在团队竭力攻闭下，衍梓配备凯旋推出低缺陷SiC栅极氧化层制备设置。

　　碳化硅器件正在至极事业要求下的牢靠性关于保障体例的稳固运转起着至闭苛重的用意，苛重的题目有雪崩失效、短道失效和浪涌失效等。器件的短道失效和浪涌失效除了热失效由来外，高温下场氧区断裂或铝熔化危害栅氧导致栅源短道也是两个由来，这关于浸积、热氧化工艺也提出了更高的请求。

　　行业实验中发明器件牢靠性失效群众根源于栅氧质地，现阶段栅氧的工艺质地和缺陷秤谌是限制高压SiC MOSFET永久事业的枢纽要素之一。正在反复栅偏电应力和高温事业境况的用意下，栅氧界面组织会不竭地缉捕或者开释电荷，告急影响器件的参数稳固性和运转牢靠性。与Si基器件比拟，高压SiC MOSFET的SiC/SiO2界面缺陷密度比Si/SiO2界面胜过约2个数目级，目前SiC/SiO2 界面中的界面态密度Dits 能够到达1011-1012cm-2/eV，而关于榜样的Si/SiO2 界面中的界面态密度Dits 普通为109-1010cm-2/eV，这是SiC与Si的质料特征分歧和SiC工艺时间不行熟导致的，使得高压SiC MOSFET栅氧界面缺陷对电荷的缉捕与开释效应特别告急，进而惹起阈值电压、导通电阻、走电流等器件参数的退化和不稳固。

　　因为SiC器件事业温度和电场高于Si器件，所以职能良好的SiC/SiO2界面临器件的高温牢靠性至闭苛重。老例的碳化硅栅氧工艺是氧化后实行氮化处置，将碳化硅片放正在NO（无色，有毒）等含氮的气体境况中退火或直接正在NO中实行氧化工艺，能够有用下降界面态，革新界面质地。满堂上，高压SiC MOSFET的栅氧工艺还未成熟，须要进一步优化工艺秤谌，提升器件的牢靠性和职能。

　　针对以上题目，怎么鼎新现有工艺以提升栅氧质地，以及怎么鼎新器件布局来积累与提升栅氧的牢靠性，是行业的共性题目，都是来日须要进一步商讨和管理的题目。

　　衍梓配备通过众年的革新商讨以及产学研撮合研发，发了解新一代碳化硅低缺陷栅氧制备设置，诈骗革新的硅浸积工艺与低温氧化工艺，进一步下降SiC/ SiO2界面中的缺陷密度，界面态密度Dits 提升到为1010-1011cm-2/eV，进一步革新阈值电压、导通电阻、走电流等器件参数，从而提升器件的牢靠性。

　　相较于竞品所采用含一氧化氮高温工艺，衍梓配备设置采用鼎新工艺，正在各项目标职能上均具备较强上风，确切有用管理财富痛点，其上风征求但不限于：

　　【奖项申报入口】2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖仪式将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前搜集与候选企业/机构报道正正在实行，迎接报名介入，共赴行业盛宴！

　　旨正在赞叹2023年度于前沿时间范畴展开原始性强大时间革新，到达邦际优秀/领先秤谌，来日或发作强大经济社会效益，关于激动我邦集成电道财富链自立太平可控发达阐明强大用意的企业。

　　1、深耕半导体某一细分范畴，2023年宣告的新时间或产物具有原始性强大时间革新，到达邦际优秀/领先秤谌；

　　2、产物操纵限制广，具有杰出商场前景，对环球及邦内半导体财富发达起到苛重用意。