蒸发重积愚弄热能使资料从固态变动为气态，正在真空境遇中冷凝到基片外观酿成薄膜。蒸发重积有两种合键方法：

　　蒸发重积本领正在光学薄膜和掩饰涂层的筑制中尤为常睹。比方反射镜上的金属涂层、掩饰件上的金属薄膜等都愚弄蒸发重积完毕高纯度、高光洁度的成膜。

　　溅射重积是通过带电粒子（每每为氩离子）轰击靶材，使资料原子从靶材外观溅射出来并重积正在基片上。常用的溅射重积开发包罗：

　　溅射重积工艺中常睹的靶材包罗金属（如铝、铜）、合金（如钛铝合金）和化合物（如氧化铝、氮化钛等），靶材资料依照薄膜的性能需求举办挑选，如导电性、光学本质和机器强度。

　　溅射重积正在半导体筑制中至合主要，比方用于制备金属互连层。正在光学范围，溅射重积本领被用于抗反射涂层的筑制，正在防护涂层方面，溅射薄膜则用于降低外观耐磨性。

　　脉冲激光重积利用高能脉冲激光束还击靶材，使靶材酿成等离子云，该等离子云正在基片上重积酿成薄膜。激光功率、波长和脉冲频率会明显影响薄膜的质地和机合。

　　PLD本领实用于制备因素纷乱的薄膜资料，极度是正在纷乱氧化物薄膜和超导薄膜的制备上，具有明显上风。它可能确保资料因素具体实性，是科学探求中常用的高精度重积格式。

　　MBE正在超高真空境遇下运转，愚弄分子束或原子束逐层堆集资料，酿成单晶薄膜。MBE的上风正在于其极高的成膜精度，可以完毕亚原子级此外厚度担任。

　　MBE本领普遍用于高质地半导体薄膜的制备，更加实用于量子点、纳米机合等利用范围，正在高端电子和光电器件筑制中具有主要身分。

　　LPCVD正在低压境遇下通过气体剖判重积薄膜。气体压力低重可以裁汰杂质和缺陷，降低薄膜质地。LPCVD每每实用于制备众晶硅薄膜、氮化硅等耐高温资料。

　　LPCVD常睹于半导体筑制，如众晶硅薄膜和绝缘薄膜制备，适适用于芯片筑制和其他高温资料的重积。

　　PECVD通过等离子体激起气体剖判响应，以低温重积薄膜。射频电场庇护等离子体平静，适合于制备热敏资料。

　　PECVD实用于低温薄膜制备，常用于电子器件中的氮化硅绝缘层、低温光学薄膜等。

　　MOCVD愚弄金属有机化合物先驱体正在高温下剖判重积，实用于制备III-V族半导体（如砷化镓、氮化镓等）薄膜。

　　MOCVD普遍利用于光电器件和LED芯片的筑制，是半导体行业的主要本领。

　　ALD通过气相响应逐层堆集原子层，可以完毕极高的厚度担任精度，是超薄膜重积的理思格式。

　　ALD普遍用于超薄绝缘层、阻截层、性能纳米薄膜等的制备，极度是正在微电子和纳米本领范围中具有上风。

　　溶胶-凝胶法通过溶胶转化为凝胶，再通过煅烧酿成薄膜，是一种低本钱的薄膜制备工艺。