蒸发镀膜是一种将固态质料通过加热转换为气态后浸积正在基片上的技艺。该工艺蕴涵两种重要加热形式：

　　蒸发镀膜渊博运用于金属、氧化物等质料。其特质正在于膜层的轮廓光洁、致密度高，适合对光学机能哀求较高的场地，如反射镜镀层及透后导电膜。

　　溅射镀膜通过电场加快氩气等惰性气体造成等离子体，轰击靶材原子并使其溅射到基片上。凭据电源类型和磁场装备，溅射可分为：

　　直流溅射（DC Sputtering）：实用于导电质料，利用大略的直流电源爆发离子流，靶材易损耗。

　　射频溅射（RF Sputtering）：射频电场激励等离子体，适合绝缘质料的浸积，是薄膜氧化物和氮化物镀膜的程序措施。

　　磁控溅射（Magnetron Sputtering）：愚弄磁场将电子限定正在靶材轮廓，扩展电子碰撞概率，升高浸积速度和薄膜匀称性。磁控溅射工艺稳固、实用范畴广，加倍实用于大面积涂层。

　　磁控溅射具备较高的浸积速度和优异的薄膜匀称性，浸积温度低且独揽灵敏，很是适合工业大范畴坐褥。其重要上风正在于准确的厚度独揽与高附效力，加倍正在微电子器件、触摸屏、显示器等周围运用渊博。

　　氩气为溅射重要使命气体。氩气离子化天生的等离子体能有用轰击靶材，爆发溅射效应。另外，正在反响性溅掷中，引入氧气或氮气等反响气体可能达成氧化物、氮化物薄膜的制备，如TiO₂、AlN等。

　　离子镀是一种加强薄膜附效力的PVD措施，愚弄高能等离子体使浸积粒子带电，以扩展薄膜密度和轮廓硬度。离子镀适合正在高附效力需求的工业运用中利用，如耐磨、耐蚀涂层。

　　众弧离子镀采用弧光放电爆发高能离子，造成致密薄膜。它具有极好的抗磨性和耐侵蚀性，适合切削用具、模具等高磨损场地的镀层。

　　PLD利用高能激光脉冲用意于靶材，将质料霎时气化浸积到基片上。PLD工艺适合严密薄膜的制备，加倍适合制备超薄膜、复合膜，渊博用于超导质料、光电质料和纳米薄膜。

　　PLD可以准确独揽薄膜厚度和因素，具有较高的成膜匀称性和反复性。稀少实用于正在纳米标准下的高纯度薄膜制备，如高质地超导体薄膜和量子点薄膜。

　　基片干净是确保PVD成膜质地的第一步。常睹的干净措施蕴涵等离子体洗濯、超声波洗濯等，可有用去除轮廓油脂、颗粒，防御薄膜附效力低落。

　　轮廓粗略度和干净度直接影响薄膜的匀称性和附效力。低粗略度、无杂质的基片有助于造成致密、完全陷的高质地薄膜。

　　PVD工艺需正在高真空境况下举办，以消浸杂质含量。每每采用离子泵、分子泵、扩散泵设立高真空，真空度对薄膜质地影响明显。

　　高真空能防御气体杂质影响薄膜的致密性和附效力，真空度亏空会导致膜层羼杂气孔和非晶化，影响成膜成果。

　　反响性溅射和离子镀需求引入氧气或氮气等反响气体。通过准确独揽气体流量，可独揽薄膜的因素，如制备氮化物、氧化物。

　　妥善的气压升高等离子体密度，从而加强溅射效果；过高或过低气压均不妨影响成膜速度及匀称性。

　　基片温度对薄膜的晶体机闭、致密性和附效力有主要影响。高温有助于薄膜结晶，但不适合热敏质料的浸积。

　　浸积速度每每利用石英晶体微天平衡量，浸积速度对薄膜厚度的准确独揽尤为主要，稀少是正在严密电子器件中。