其它，大会现场，NVM Express机合正在会中颁布了 NVMe 2.1 标准，进一步联合存储架构、简化开荒流程。其它蕴涵Kioxia、美光、SK海力士及子公司Solidigm、西部数据、慧荣科技、群联电子、Microchip微芯众款大容量、高职能新品颁布惹起业界体贴。其它近期韩邦半导体衡量配置厂商Oros Technology以及Lam Research泛林集团推出了用于NAND叠层本领升级的配置，给存储行业从上逛配置端供给助力。
正在FMS 2024存储峰会上，NVM Express正式颁布了NVMe 2.1标准，蕴涵3个新标准，并更新修订了现有的8个标准，该机构希冀新标准能更好地联合AI、云、客户端和企业规模的存储。此次更新的NVMe本领以之前的NVMe标准为底子，为摩登算计情况引入了要紧的新功效，同时还简化了开荒流程，缩短了上市韶华。
本次颁布的三个新规格分歧是：NVMe Boot标准、子体例当地内存夂箢集和算计次第夂箢集。
更新修订的八个标准如下：NVMe 2.1底子标准、夂箢集标准（NVM夂箢集、ZNS夂箢集、键值夂箢集）、传输标准（PCIe传输、FC传输、RDMA传输和TCP传输）以及NVMe收拾接口标准。
本次更新要紧带来的NVMe新功效如下：·援手正在NVM子体例之间及时转移PCIe NVMe左右器。·为固态硬盘供给新的主机定向数据安插功效，可简化生态体例集成，并向后兼容以前的NVMe标准。·援手将一面主机管束offloading到NVMe存储配置。·用于NVMe over Fabrics(NVMe-oF)的搜集启动机制。·援手NVMe over Fabrics分区。·供给主机收拾加密密钥的功效，并通过“每I/O密钥”（Key Per I/O）实行高度细粒度加密。·安乐加强功效，如援手TLS 1.3、DH-HMAC-CHAP的鸠集式身份验证验说明体和隐秘管束后的介质验证。·收拾加强功效，蕴涵援手高可用性带外收拾、通过I3C举行收拾、带外收拾异步事务以及从底层NVM子体例物理资源动态创筑导出NVM子体例。
正在FMS 2024峰会上，Kioxia涌现了一款采用光接口的固态硬盘SSD，通过集成光学接口，新的SSD本领正在数据中央计划中供给了更大的物理机动性和可扩展性，有助于升高能源成果和信号完好性。
据悉，Kioxia新款SSD首肯算计和存储配置之间实实际质性的物理离散。这种计划机动性消浸了古代布线的纷乱性和体积，并援手针对特定作事负载量身定制的加强体例计划。通过明白SSD和CPU等组件，数据中央能够遵循需求更有用地分派资源。这种优化升高了各类行使次第（蕴涵HPC情况、超等算计机和基于云的HPC体例）的职能。
遵循其演示ppt材料显示，援手该芯片援手短隔断（约40米）的光学衔尾，来日安插扩展到100米的隔断。于是，该SSD能够被安插正在远离CPU和GPU的情况中，从而避免了这些热源发作的高温，确保SSD正在最佳温度下运转。该项本领还能够通过光信号举行切换，意味着能够通过光交流机来鸠合带宽、共享配置，并拉长SSD与主机供职器之间的隔断。
据悉，Kioxia光学接口SSD的开荒是众家行业携带者配合竭力的结果，蕴涵富士通、NEC Corporation、AIO Core、富士通光学元件和京瓷公司。目前Kioxia还正正在开荒用于PCIe Gen8或更高版本的光学互连SSD。
正在更早的8月1日，Kioxia揭晓，其位于日本岩手县北上市工场Fab 2（K2）已于7月完成。据悉，K2是日本岩手县北上市的第二家NAND闪存筑设工场，安插于2025年秋季正在K2最先运营。
据韩媒报道，韩邦半导体衡量配置厂商Oros Technology已于7月最先向铠侠北上工场供应叠层衡量配置OL-1000n。这是该司颁布的第六代重叠衡量配置，与第五代配置比拟，职能提拔10-15%，要紧用于NAND层衡量。
美光颁布最新款PCIe 6.0 SSD和第九代NAND闪存本领的SSD固态硬盘
美光指日揭晓凯旋开荒业界首款用于生态援手的PCIe 6.0数据中央固态硬盘，并正在FMS 2024峰会上涌现了该新品。
据悉，美光科技此次颁布的PCIe 6.0 SSD属于其9550 NVMe SSD系列。颗粒和主控未知，依次读取速度达26GB/s，比7月23日颁布的具有14GB/s依次读取速度的9550系列PCIe 5.0数据中央固态硬盘提拔了85.7%。是商场广泛产物读取速率的两倍。
其它7月31日，美光揭晓，其采用第九代NAND闪存本领的SSD固态硬盘产物已最先出货。职能上，美光G9 NAND本领具备高达3.6 GB/s的数据传输速度，供给优异的数据读写带宽。该项NAND新本领实用于个体配置、角落供职器、企业和云数据中央。与前一代NAND产物沟通，美光第九代NAND采用11.5mmx13.5mm的紧凑封装，比同类产物节流28%的空间。
SK海力士正在本年的FMS 2024中涌现了蕴涵估计将正在第三季器度产的12层HBM3E以及安插一直岁上半年最先出货的321层NAND下一代AI存储产物的样品。正在2023年进行的FMS上，SK海力士流露，321层产物的临蓐率比其238层前代产物逾越59%，安插于2025上半年实行量产。
据韩媒etnews报道，业内人士显示，SK海力士正正在开头研发400层NAND Flash，正正在与中小型互助伙伴配合开荒合系工艺本领和配置，安插2025年终实行量产，2026年上半年实行大界限投产。报道中还提到，SK海力士新的400+层堆叠NAND闪存将采用差异于现有“4D NAND”的举座构造。
公然材料显示，SK海力士目前的4D NAND采用了PUC（PeriUnder Cell，单位下外围）本领，将外围左右电途安插正在存储单位的下方，较更古代的外围电途侧置计划可省略芯片占用空间。而SK海力士来日的NAND将正在两块晶圆上分歧筑设外围电途和存储单位，尔后采用W2W（晶圆对晶圆）外面的同化键合本领，将这两一面整合为完好的闪存。
对付此动静，SK海力士流露，公司对本领研发或量产功夫的全部安插无法评论。
PCIe 6.0行动较新的总线接口法式，其传输速率比拟前一代有了明显的提拔。但很可惜的是，这款基于消费级PCIe Gen 6固态硬盘还需求极少韶华能力够口试。近期，控制订定PCI Express标准的机合PCI-SIG正在2024年开荒者大会上供给了PCIe 6.0最新转机，流露PCIe 6.0的开头相似性测试原定于本年3月最先，但被推迟到第二季度。目前，并没有消费平台课援手PCIe Gen 6，如英特尔和AMD的最新主板只可操纵PCIe Gen 5固态硬盘。
其它，行业动静显示，SK海力士正切磋促使NAND闪存与固态硬盘子公司Solidigm正在美IPO。据悉，SK海力士于2020年10月揭晓收购英特尔NAND与SSD交易，而Solidigm则是SK海力士于2021岁暮落成收购第一阶段后建立的独立美邦子公司。对此SK海力士回应称：“Solidigm正正在推敲各类繁荣经营，但目前尚未做出决心。”
西部数据Western Digital正在FMS 2024存储峰会上揭晓落成128TB超大容量的SSD，切实地说是eSSD，面向企业级的AI数据存储行使。估计会正在2025年自此颁布，西数显示了估计2027年能够做到256TB，众年后的来日将竣工1PB。目前官方还未披露型号、职能等合系细节。
其它，西部数据正在现场演示了基于西数和东芝共同研发的第八代BiCS8NAND闪存以及实用于人工智能电脑、逛戏配置、札记本电脑以及其他转移客户端电脑的主流PCIe Gen5 NVMeTM SSD产物。
针对汽车规模，西部数据全新推出了车规级存储治理计划AT EN610，专为满意下一代高职能中心算计(High-PerformanceCentralizedComputing,HPCC)架构的苛苛需求而计划。AT EN610采用了大容量TLC闪存，并为用户供给了将总共或一面存储空间装备为高耐久性的SLC形式的机动抉择。AT EN610操纵M.2 1620 BGA封装，并具有高达1TB的存储容量。西部数据AT EN610产物现已最先供给样品。
Flashtec NVMe 5016装备16条独立闪存通道，兼容从SLC到QLC的各类NAND闪存，援手至高3200MT/s闪存接口速度，外置缓存方面则援手到4 Ranks的DDR5-5200。该主控可实行14GB/s的依次读取速度，随机读取也高达3500K IOPS，同时仅需1W功率即可援手抢先2.5GB/s的传输速度，能以更低能耗供给更高带宽。
其它，该款新主控还适宜NVMe 2.0+和议，援手ZNS（分区定名空间）、FDP（机动数据安插）等进步特点，能进一步省略写入放大系数WAF。
8月7日，慧荣科技（SIMO）揭晓推出业界首款操纵台积电6纳米EUV工艺的PCIe Gen 5 SSD左右器SM2508，并正在FMS 2024大会上展出。该主控芯片专为AI PC和逛戏主机计划，供给比12纳米工艺角逐敌手产物高达50%的能效消浸。
官方材料显示，SM2508 SSD左右器援手八条NAND通道，每通道速度高达3600MT/s，供给高达14.5 GB/s的依次读写速率和2.5M IOPS的随机职能。据悉相较于PCIe Gen 4产物，其职能提拔达2倍，同时功耗左右正在7W以内，估计将于本年第四时度最先量产。
群联推出E29T消费级主控和Pascari企业级固态硬盘产物线峰会上首度涌现了全新消费级PCIe 4.0主控PS5029-E29T，以及其Pascari企业级固态硬盘产物线，该产物线笼罩聚焦高职能的X系列、面向数据中央的D系列、针对体例开机驱动的B系列、面向古代供职器存储升级的S系列以及AI系列。
Pascari企业级固态硬盘产物线家族较早面世，正在此峰会中，群联还推出了X100P、X100E两款PCIe 4.0产物，分歧为1DWPD和3DWPD，最大容量均达32TB量级。X100P与X100E依次读写均可达7400/6900 MB/s，随机读取均可达1750K IOPS；X100P的随机写入速度可达190K IOPS，X100E的更高，可达470K IOPS。
AI系列仅供给了AI100E这一款产物。该产物的特点正在于100DWPD的超高写入耐久。该固态硬盘采用PCIe 4.0×4接口，可选M.2 2280和U.2 15mm两种外形规格，容量方面可选1TB、2TB；群联AI100E依次读写可达7200/6500 MB/s，随机读写均可达1000K IOPS。
除了上述存储厂商外，邦际著名配置大厂Lam Research近期推出Lam CryoTM 3.0，这是Lam Research过程临蓐验证的第三代低温电介质蚀刻本领，为其客户迈向1,000层3D NAND铺平道途。跟着天生人工智能的普及连续促使对具有更高容量和职能的存储需求，Lam Cryo 3.0供给了筑设来日尖端3D NAND的环节蚀刻才略。诈骗超低温度、高功率受限等离子反响器本领和外貌化学革新，Lam Cryo 3.0以业界领先的精度和轮廓左右举行蚀刻。
